包括多重误差检验与校正电路的非易失性存储器

专利权的终止

摘要

半导体存储器，包括：分成许多副单元组的存储单元组，各副单元组既有正常存储单元又有奇偶校验单元；许多读出放大器组，各接到副单元组中的各单元，用于对来自副单元组的单元数据执行读出操作；许多误差检验与校正电路，各接到各读出放大器组，以修正单元数据中的出错位；以及，各连接到误差检验与校正电路的输出译码器；当该存储器在正常方式下工作，就选择副单元组之一，当其按页式工作时，则选择全部副单元组。

基本信息

专利标题：

包括多重误差检验与校正电路的非易失性存储器

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1083962A

申请号：

CN93109191.8

公开（公告）日：

1994-03-16

申请日：

1993-07-30

授权号：

CN1033607C

授权日：

1996-12-18

发明人：

赵星熙李炯坤

申请人：

三星电子株式会社

申请人地址：

韩国京畿道

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

吴增勇

优先权：

CN93109191.8

主分类号：

G06F11/10

IPC分类号：

G06F11/10 G11C11/34 H01L27/04

IPC结构图谱

G部——物理

G06

计算；推算或计数

G06F

电数字数据处理

G06F11/00

错误检测；错误校正；监控

G06F11/07

响应错误的产生，例如，容错

G06F11/08

用数据表示中的冗余码作错误检测或校正，例如，应用校验码

G06F11/10

对编码信息添加特定的码或符号，例如，奇偶校验、除9或除11校验

法律状态

2011-10-05 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101116124110
IPC(主分类) : G06F 11/10
专利号 : ZL931091918
申请日 : 19930730
授权公告日 : 19961218
终止日期 : 20100730

1996-12-18 ：

授权

1995-06-28 ：

实质审查请求的生效

1994-03-16 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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