一种制备高掺杂浓度钽铌酸钾的方法
专利申请的视为撤回
摘要
本发明属于非线性光学晶体的制备技术领域，它解决了目前生长钽铌酸钾(KTN)掺杂浓度过高时生长出的晶体是黑色或深蓝色,可见光不能透过的问题，本发明的主要内容就是在生长KTN晶体的原料中加入一种脱色剂，它不但提高了掺杂浓度而且生长出的晶体极化后完全透明，具有二波耦合增益系数大、自泵浦相位共轭反射率高的优点，可应用于激光器件、光通讯、光信息处理、图像复原、光计算、智能计算机和光学神经网络等领域。
基本信息
专利标题 ：
一种制备高掺杂浓度钽铌酸钾的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1093172A
申请号 ：
CN93110357.6
公开（公告）日 ：
1994-10-05
申请日 ：
1993-04-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
管庆才魏景谦王继杨刘跃岗邵宗书蒋民华
申请人 ：
山东大学
申请人地址 ：
250100山东省济南市山大南路27号
代理机构 ：
山东大学专利事务所
代理人 ：
刘旭东
优先权 ：
CN93110357.6
主分类号 ：
G02B1/02
IPC分类号 ：
G02B1/02
IPC结构图谱
G
G部——物理
G02
光学
G02B
光学元件、系统或仪器附注
G02B1/00
按制造材料区分的光学元件；用于光学元件的光学涂层
G02B1/02
由晶体半导体，制成的
法律状态
1996-08-14 ：
专利申请的视为撤回
1994-10-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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