间隙中金属和薄膜混合读写头
专利申请的视为撤回
摘要
一种MIG和薄膜混合读写头使用较少的磁性材料从而降低了磁感应。混合头对探头高度公差较不敏感并对间隙和磁道之类的几何参数更好控制。混合头由各个磁心(210)、软磁层(201)、非磁性层(202)以及C形切口(204)组成。混合头由经过简化的较高成品率的工艺批量地制造。
基本信息
专利标题 ：
间隙中金属和薄膜混合读写头
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1119475A
申请号 ：
CN94191479.8
公开（公告）日 ：
1996-03-27
申请日 ：
1994-03-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
塞亚姆·C·达斯
申请人 ：
达斯设备公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
傅康
优先权 ：
CN94191479.8
主分类号 ：
G11B5/127
IPC分类号 ：
G11B5/127 G11B5/33 G11B5/23 G11B5/147
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11B
基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储
G11B5/00
借助于记录载体的激磁或退磁进行记录的；用磁性方法进行重现的；为此所用的记录载体
G11B5/127
磁头的结构或制造，例如电感应的
法律状态
2000-05-31 ：
专利申请的视为撤回
1996-09-18 ：
实质审查请求的生效
1996-03-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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