高频电磁场耦合的薄膜多层电极

专利权的终止

摘要

由各对薄膜导体(21和22、22和23、23和24及24和25)构成多个TEM模式的传输线(L2-L5)，各对薄膜导体通过交替地堆积薄膜导体(21至25)和薄膜介质(31至34)夹住各个薄膜介质(31-34)。使传播通过传输线(L2至L5)的至少二个的TEM模式波的相速度大体上彼此相等。各薄膜导体(21至25)的厚度小于使用频率的趋肤深度，以致使该TEM模式的传输线(L2-L5)中的至少二个TEM模式的传输线的电磁场互相耦合。采用这种方式可有效地增加趋肤深度，与常规电极相比，可显著减少导体损耗和表面电阻。这种电极可构成传输线、谐振器、滤波器和高频器件。

基本信息

专利标题：

高频电磁场耦合的薄膜多层电极

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1137842A

申请号：

CN94193722.4

公开（公告）日：

1996-12-11

申请日：

1994-03-07

授权号：

CN1122327C

授权日：

2003-09-24

发明人：

石川容平日高青路

申请人：

株式会社村田制作所

申请人地址：

日本京都府

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

程天正

优先权：

CN94193722.4

主分类号：

H01P3/18

IPC分类号：

H01P3/18 H01P3/06 H01P3/08 H01P3/12 H01P7/08 H01P1/203 H01P1/20