扩散隐埋极板沟槽DRAM单元阵列
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
摘要
公开一种高密集度的衬底沟槽DRAM单元存储器件及其工艺，毗邻沟槽电容器形成一隐埋区，以使DRAM转移FET的衬底能与半导体衬底上的其它FET电绝缘。隐埋区的一部分是由深沟槽的侧壁的侧向外扩散形成，另一部分是由完全环绕DRAM阵列的N阱表面扩散形成的。
基本信息
专利标题 ：
扩散隐埋极板沟槽DRAM单元阵列
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1262526A
申请号 ：
CN99123542.8
公开（公告）日 ：
2000-08-09
申请日 ：
1993-01-07
授权号 ：
CN1117397C
授权日 ：
2003-08-06
发明人 ：
多纳德·迈卡尔班·凯尼
申请人 ：
国际商业机器公司
申请人地址 ：
美国纽约
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
王以平
优先权 ：
CN99123542.8
主分类号 ：
H01L27/108
IPC分类号 ：
H01L27/108
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/108
动态随机存取存储结构的
法律状态
2009-03-11 ：
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
2003-08-06 ：
授权
2000-08-09 ：
公开
2000-07-12 ：
实质审查请求的生效
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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