一种介孔二氧化硅材料的制备方法
专利权的终止
摘要
本发明涉及介孔二氧化硅的制备方法，它是以硅、氧为基本组分，具有六方介孔结构，孔壁厚度1～4nm，其红外谱图显示在800cm－1附近有吸收峰和在1240cm－1和1080cm－1有吸收峰，归属于介孔二氧化硅材料的特征吸收峰；氮气吸附等温线为IV型曲线，比表面积为700～1200m2/g，最可几孔径为2～4nm。用有机硅氧烷为硅源，EDTA－Na2为有机硅氧烷的水解缩合催化剂，在室温和pH接近中性的仿生条件下合成。其中的模板剂很容易通过乙醇萃取的方式去除，达到经济回收的目的。该方法的仿生合成特性，使得其在生物大分子的原位包敷、酶的原位固载等领域内有着重要的应用前景。
基本信息
专利标题 ：
一种介孔二氧化硅材料的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1792787A
申请号 ：
CN200510016313.7
公开（公告）日 ：
2006-06-28
申请日 ：
2005-11-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈铁红肖强孙平川李宝会丁大同
申请人 ：
南开大学
申请人地址 ：
300071天津市卫津路94号南开大学化学学院
代理机构 ：
天津市学苑有限责任专利代理事务所
代理人 ：
赵尊生
优先权 ：
CN200510016313.7
主分类号 ：
C01B33/113
IPC分类号 ：
C01B33/113 C01B33/18
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C01
无机化学
C01B
非金属元素；其化合物
C01B33/00
硅; 其化合物
C01B33/113
氧化硅；其水合物
法律状态
2010-10-06 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101006288718
IPC(主分类) : C01B 33/113
专利号 : ZL2005100163137
申请日 : 20051122
授权公告日 : 20070516
号牌文件序号 : 101006288718
IPC(主分类) : C01B 33/113
专利号 : ZL2005100163137
申请日 : 20051122
授权公告日 : 20070516
2009-01-21 ：
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
2007-05-16 ：
授权
2006-08-23 ：
实质审查的生效
2006-06-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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