长引线低弧度高密度金丝球焊生产方法
授权
摘要
本发明提供一种长引线、低弧度、高密度、集成电路封装金丝球焊生产方法，具体步骤为：1材料准备；2设备选择；3生产工艺技术控制，其中3－1金球烧制，3－2芯片焊区接线，3－3)线弧成形，3－4引线框架接线；4半成品抽样检测。本发明制成的超大规模超薄型集成电路可广泛用于计算机、通讯设备、高档家电等，突破了传统封装形式引线短、弧度高、密度低，不适应超大规模超薄型集成电路封装需求的缺点。利用此项技术做成的产品使用在上述设施，使其具有体积小、重量轻、节约能源等特点，而且性能比传统工艺更稳定可靠，一致性更高，实现了低成本高效率，适合大规模生产加工。
基本信息
专利标题 ：
长引线低弧度高密度金丝球焊生产方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1983541A
申请号 ：
CN200510022727.0
公开（公告）日 ：
2007-06-20
申请日 ：
2005-12-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
崔卫兵任江林刘志强颉永红周金城
申请人 ：
天水华天科技股份有限公司
申请人地址 ：
741000甘肃省天水市双桥路14号
代理机构 ：
甘肃省专利服务中心
代理人 ：
鲜林
优先权 ：
CN200510022727.0
主分类号 ：
H01L21/60
IPC分类号 ：
H01L21/60
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/60
引线或其他导电构件的连接，用于工作时向或由器件传导电流
法律状态
2009-08-19 ：
授权
2008-04-02 ：
实质审查的生效
2007-06-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
