半导体装置、全波整流电路和半波整流电路
专利权的终止
摘要
本发明提供一种能够在二极管中流有正向电流时，防止向半导体基板泄漏浪费的电流的半导体装置。在P型半导体基板(31)的表面上形成有N型阱区域(32)，在N型阱区域(32)中，再形成有P型阱区域(33)。在P型阱区域(33)外的N型阱区域(32)的表面上形成有N+型扩散层(34)。在P型阱区域(33)的表面上，形成有P+型扩散层(35)和N+型扩散层(36)。利用由铝等构成的配线(37)，电连接形成在N型阱区域(32)的表面上的N+型扩散层(34)、和形成在P型阱区域(33)的表面上的P+型扩散层(35)，该配线(37)上连接着阳极电极(38)。N+型扩散层(36)上连接着阴极电极(39)。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置、全波整流电路和半波整流电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1783492A
申请号 ：
CN200510023006.1
公开（公告）日 ：
2006-06-07
申请日 ：
2005-09-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
五岛一智斋藤博福田良之中泽务
申请人 ：
三洋电机株式会社
申请人地址 ：
日本国大阪府
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
李香兰
优先权 ：
CN200510023006.1
主分类号 ：
H01L27/04
IPC分类号 ：
H01L27/04 H02M7/219
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
法律状态
2013-11-13 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101539125101
IPC(主分类) : H01L 27/04
专利号 : ZL2005100230061
申请日 : 20050922
授权公告日 : 20080903
终止日期 : 20120922
号牌文件序号 : 101539125101
IPC(主分类) : H01L 27/04
专利号 : ZL2005100230061
申请日 : 20050922
授权公告日 : 20080903
终止日期 : 20120922
2008-09-03 ：
授权
2006-08-02 ：
实质审查的生效
2006-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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