一种湿式化学清洗方法

专利权的终止

摘要

一种在半导体集成电路制造工艺中使用的湿式清洗方法。通过用四甲基氢氧化铵溶液配合常规使用的湿式清洗剂进行清洗，一方面增强了清洗效果，使其有较宽的工艺覆盖窗口，能够满足65纳米或65纳米以下半导体制程的清洗要求；另一方面由于四甲基氢氧化铵是容易得到并且廉价的化学品，这种方法使清洗用的消耗性化学品成本降低，也可以替代原有的湿式清洗工艺，提高生产效率。

基本信息

专利标题：

一种湿式化学清洗方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1937178A

申请号：

CN200510030002.6

公开（公告）日：

2007-03-28

申请日：

2005-09-23

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

郭佳衢

申请人：

中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

申请人地址：

201203上海市浦东新区张江高科技园区张江路18号

代理机构：

上海新高专利商标代理有限公司

代理人：

楼仙英

优先权：

CN200510030002.6

主分类号：

H01L21/306

IPC分类号：

H01L21/306 B08B3/08

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/02

半导体器件或其部件的制造或处理

H01L21/04

至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层

H01L21/18

器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料

H01L21/30

用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的

H01L21/302

改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割

H01L21/306

化学或电处理，例如电解腐蚀

法律状态

2019-09-10 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/306
申请日 : 20050923
授权公告日 : 20081224
终止日期 : 20180923

2012-01-04 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101259513130
IPC(主分类) : H01L 21/306
专利号 : ZL2005100300026
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
变更后权利人 : 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 201203 上海市浦东新区张江高科技园区张江路18号
变更后权利人 : 201203 上海市浦东新区张江高科技园区张江路18号
变更事项 : 共同专利权人
变更前权利人 : 无
变更后权利人 : 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
登记生效日 : 20111129

2008-12-24 ：

授权

2007-05-23 ：

实质审查的生效

2007-03-28 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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1、

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