一种含隧道结的垂直腔型光电子器件
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明涉及一种垂直腔型半导体光电子器件，其特征在于将隧道结置于垂直腔型半导体光电子器件的微腔中，利用隧道结的反向电流遂穿特性，实现用N型的分布反馈布拉格腔镜(DBR)取代P型的DBR腔镜，能有效降低垂直腔器件的串联电阻，限制侧向电流的扩散，提高电流注入有源区的均匀性，降低器件的阈值电流密度，改善器件的热特性，隧道结的材料采用均匀掺杂或多次δ掺杂，垂直腔型半导体光电子器件的顶部和底部腔镜采用III－V族半导体多层薄膜膜构成的DBR、光学介质膜DBR、高反射率金属膜、半导体薄膜/空气隙DBR中的一种，或他们的组合；微腔中的有源区采用MBE或MOCVD生长的InGaAs、InGaAsP、AlGaInAs或InGaNAs系列量子阱。
基本信息
专利标题 ：
一种含隧道结的垂直腔型光电子器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1780004A
申请号 ：
CN200510030638.0
公开（公告）日 ：
2006-05-31
申请日 ：
2005-10-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吴惠桢黄占超劳燕锋刘成齐鸣封松林
申请人 ：
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请人地址 ：
200050上海市长宁区长宁路865号
代理机构 ：
上海智信专利代理有限公司
代理人 ：
潘振甦
优先权 ：
CN200510030638.0
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00 H01L31/101 H01L31/18 H01S5/10
法律状态
2008-04-16 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-07-26 ：
实质审查的生效
2006-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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