本发明公开了一种用于纳米光子技术的聚合物上硅纳米膜制备方法。将具有数百到数纳米厚度的绝缘体上硅片和衬底片进行清洗后烘干；在绝缘体上硅片的顶层硅一侧上涂敷一层聚合物光隔离层，并与衬底片粘合；去除粘合后的绝缘体上硅片的底层硅，获得单晶硅纳米膜。本发明制备的纳米膜厚度均匀性高；材料的光下限制层有足够的厚度可以实现光隔离，可进行纳米尺寸硅光子器件研制；可根据实际器件制作过程中的需要，在绝缘体上硅片和衬底片的键合面上进行预处理，设置电极，实现特定图案等；整个制备过程可仅采用涂敷、粘合、湿法腐蚀等简单的工艺过程，降低对设备的要求；可结合硅材料的特性和聚合物材料的特性，研究和开发相关的纳米光子器件。