利用多层侧墙技术制备纳米压印模版的方法

专利申请权、专利权的转移

摘要

一种利用多层侧墙技术制备纳米压印模版的方法，其工艺步骤如下：1.在透光基片上淀积一层结构薄膜；2.淀积另外一种材料作为第二层结构薄膜；3.根据线条设计要求重复步骤1和2；4.采用化学机械平坦化或研磨等方法抛光基片表面，得到由第一种与第二种结构材料交替组成的侧墙阵列；5.选择腐蚀或刻蚀两种结构材料的侧墙，形成纳米压印模版。

基本信息

专利标题：

利用多层侧墙技术制备纳米压印模版的方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1982202A

申请号：

CN200510126492.X

公开（公告）日：

2007-06-20

申请日：

2005-12-14

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

涂德钰王丛舜刘明

申请人：

中国科学院微电子研究所

申请人地址：

100029北京市朝阳区北土城西路3号

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

段成云

优先权：

CN200510126492.X

主分类号：

B81C1/00

IPC分类号：

B81C1/00 G03F7/00 G03F7/12 G02B5/18 G03H1/04

相关图片

IPC结构图谱

B部——作业；运输

B81

微观结构技术

B81C

专门适用于制造或处理微观结构的装置或系统的方法或设备

B81C1/00

在基片内或其上制造或处理的装置或系统

法律状态

2013-05-01 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101581204619
IPC(主分类) : B81C 1/00
专利号 : ZL200510126492X
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 中国科学院微电子研究所
变更后权利人 : 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 100029 北京市朝阳区北土城西路3号
变更后权利人 : 201203 上海市浦东新区张江路18号
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 无
变更后权利人 : 中国科学院微电子研究所
登记生效日 : 20130411

2009-01-21 ：

授权

2007-08-15 ：

实质审查的生效

2007-06-20 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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1、

CN100453444C.PDF

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2、

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