一种紫外固化纳米压印模版的制备方法
专利申请权、专利权的转移
摘要
本发明属于微电子学与纳米电子学中的微纳加工领域,特别涉及一种紫外固化纳米压印模版的制备。其工艺步骤如下:1.在透光基片上淀积一层易于刻蚀的薄膜;2.旋涂抗蚀剂;3.淀积一层导电薄膜;4.光刻、显影得到模版图形;5.以抗蚀剂做掩蔽刻蚀第一层薄膜材料,将模版图形转移到薄膜上;6.去除残余抗蚀剂,完成紫外固化纳米压印模版。
基本信息
专利标题 :
一种紫外固化纳米压印模版的制备方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1979341A
申请号 :
CN200510130437.8
公开(公告)日 :
2007-06-13
申请日 :
2005-12-08
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
涂德钰王丛舜刘明
申请人 :
中国科学院微电子研究所
申请人地址 :
100029北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 :
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 :
段成云
优先权 :
CN200510130437.8
主分类号 :
G03F7/20
IPC分类号 :
G03F7/20 H01L21/00
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F7/00
图纹面,例如,印刷表面的照相制版如光刻工艺;图纹面照相制版用的材料,如:含光致抗蚀剂的材料;图纹面照相制版的专用设备
G03F7/20
曝光及其设备
法律状态
2013-05-08 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101588805766
IPC(主分类) : G03F 7/20
专利号 : ZL2005101304378
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 中国科学院微电子研究所
变更后权利人 : 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 100029 北京市朝阳区北土城西路3号
变更后权利人 : 201203 上海市浦东新区张江路18号
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 无
变更后权利人 : 中国科学院微电子研究所
登记生效日 : 20130419
号牌文件序号 : 101588805766
IPC(主分类) : G03F 7/20
专利号 : ZL2005101304378
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 中国科学院微电子研究所
变更后权利人 : 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 100029 北京市朝阳区北土城西路3号
变更后权利人 : 201203 上海市浦东新区张江路18号
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 无
变更后权利人 : 中国科学院微电子研究所
登记生效日 : 20130419
2008-11-26 :
授权
2007-08-08 :
实质审查的生效
2007-06-13 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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