一种紫外固化纳米压印模版的制备方法

专利申请权、专利权的转移

摘要

本发明属于微电子学与纳米电子学中的微纳加工领域，特别涉及一种紫外固化纳米压印模版的制备。其工艺步骤如下：1.在透光基片上淀积一层易于刻蚀的薄膜；2.旋涂抗蚀剂；3.淀积一层导电薄膜；4.光刻、显影得到模版图形；5.以抗蚀剂做掩蔽刻蚀第一层薄膜材料，将模版图形转移到薄膜上；6.去除残余抗蚀剂，完成紫外固化纳米压印模版。

基本信息

专利标题：

一种紫外固化纳米压印模版的制备方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1979341A

申请号：

CN200510130437.8

公开（公告）日：

2007-06-13

申请日：

2005-12-08

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

涂德钰王丛舜刘明

申请人：

中国科学院微电子研究所

申请人地址：

100029北京市朝阳区北土城西路3号

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

段成云

优先权：

CN200510130437.8

主分类号：

G03F7/20

IPC分类号：

G03F7/20 H01L21/00

相关图片

IPC结构图谱

G部——物理

G03

摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术

G03F

图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备

G03F7/00

图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备

G03F7/20

曝光及其设备

法律状态

2013-05-08 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101588805766
IPC(主分类) : G03F 7/20
专利号 : ZL2005101304378
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 中国科学院微电子研究所
变更后权利人 : 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 100029 北京市朝阳区北土城西路3号
变更后权利人 : 201203 上海市浦东新区张江路18号
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 无
变更后权利人 : 中国科学院微电子研究所
登记生效日 : 20130419

2008-11-26 ：

授权

2007-08-08 ：

实质审查的生效

2007-06-13 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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1、

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2、

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