利用碳纳米管薄膜作掩模版光罩的制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明涉及半导体加工技术领域，尤其涉及一种利用碳纳米管薄膜作掩模版光罩的制备方法。主要包括SiN支撑层的制备和在支撑层上生长碳纳米管薄膜。具体包括如下步骤：在基底两侧沉积SiN和SiO2，在SiN上涂覆光刻胶，在光刻胶上进行图案化曝光、显影、刻蚀和去胶，再经刻蚀去除表面SiO2后得到图案化的SiN支撑层，在支撑层上沉积一层碳纳米管薄膜，进一步将支撑层和基底进行刻蚀去除后，得到图案化的碳纳米管掩模版光罩。涉及的掩模版光罩具有高的透光率高，良好的化学稳定性和热稳定性，成本低的特点。
基本信息
专利标题 ：
利用碳纳米管薄膜作掩模版光罩的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114545725A
申请号 ：
CN202210084172.6
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2022-01-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
弓晓晶许敬
申请人 ：
常州大学;江苏江南烯元石墨烯科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省常州市武进区湖塘镇滆湖中路21号
代理机构 ：
常州市夏成专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
周文杰
优先权 ：
CN202210084172.6
主分类号 ：
G03F1/22
IPC分类号 ：
G03F1/22 C23C16/26 C23C16/34 C23C16/56
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1/00
用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1/22
用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如X射线掩膜、深紫外掩膜；其制备
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G03F 1/22
申请日 : 20220125
申请日 : 20220125
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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