一种负型纳米压印方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
一种负型纳米压印方法，由以下步骤所构成：(1)首先在硅基底蒸镀金属膜层I，并在金属膜层I上旋涂光刻胶；(2)然后在加热加压条件下将模板的纳米图案复制于光刻胶；(3)用反应离子刻蚀技术将图案转移至镀金属膜层I；(4)以光刻胶的图形为掩膜通过湿法化学腐蚀的方法腐蚀未被光刻胶掩盖的裸露金属I；(5)制得金属纳米结构。本发明的优越性：负型纳米压印技术以压印后的光刻胶为掩膜，通过湿法化学腐蚀方法制备金属结构，避免了传统纳米压印工艺的剥离工艺，可以制备线条光滑的金属结构；其所用化学腐蚀剂价格低廉；工艺易控制，可通过调节腐蚀条件和时间控制金属线宽；还可以通过化学腐蚀后蒸镀第二种金属而制备双金属结构。
基本信息
专利标题 ：
一种负型纳米压印方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1800984A
申请号 ：
CN200510133650.4
公开（公告）日 ：
2006-07-12
申请日 ：
2005-12-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
谢国勇焦丽颖刘忠范张锦
申请人 ：
国家纳米技术产业化基地
申请人地址 ：
300457天津市经济技术开发区第四大街80号A2座二层
代理机构 ：
国嘉律师事务所
代理人 ：
卢枫
优先权 ：
CN200510133650.4
主分类号 ：
G03F7/20
IPC分类号 ：
G03F7/20 H01L21/027
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F7/00
图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备
G03F7/20
曝光及其设备
法律状态
2009-02-25 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-09-06 ：
实质审查的生效
2006-07-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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