纳米压印和光学光刻匹配混合的声表面波器件制备方法

专利申请权、专利权的转移

摘要

一种采用纳米压印和光学光刻匹配混合的声表面波器件制备方法，其工艺步骤如下：1.在压电基片上旋涂压印胶；2.制备含有声表面波器件叉指图形和对准标记的压模并对其表面进行防粘连处理；3.将压模压入压印胶中，通过加热、加压或紫外光辐照固化等压印方式得到叉指和对准标记的胶图形；4.分离压模和基片；5.利用氧等离子干法刻蚀残胶，直到露出基片；6.溅射或蒸发电极材料；7.剥离得到叉指电极和对准标记图形；8.在基片上旋涂光刻胶；9.对声表面波器件的其余图形进行套准光刻；10.溅射或蒸发电极材料；11.剥离得到图形，完成声表面波器件的制备。

基本信息

专利标题：

纳米压印和光学光刻匹配混合的声表面波器件制备方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1979340A

申请号：

CN200510126232.2

公开（公告）日：

2007-06-13

申请日：

2005-11-30

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

王丛舜牛洁斌涂德钰谢常青陈宝钦刘明

申请人：

中国科学院微电子研究所

申请人地址：

100029北京市朝阳区北土城西路3号

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

段成云

优先权：

CN200510126232.2

主分类号：

G03F7/20

IPC分类号：

G03F7/20

IPC结构图谱

G部——物理

G03

摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术

G03F

图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备

G03F7/00

图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备

G03F7/20

曝光及其设备

法律状态

2013-04-24 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101576806582
IPC(主分类) : G03F 7/20
专利号 : ZL2005101262322
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 中国科学院微电子研究所
变更后权利人 : 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 100029 北京市朝阳区北土城西路3号
变更后权利人 : 201203 上海市浦东新区张江路18号
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 无
变更后权利人 : 中国科学院微电子研究所
登记生效日 : 20130407

2008-12-24 ：

授权

2007-08-08 ：

实质审查的生效

2007-06-13 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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