一种基于纳米压印技术的防伪微纳米结构图案的制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种基于纳米压印技术的防伪微纳米结构图案的制备方法。本发明采用聚二甲基硅氧烷作为压印软模板，紫外光刻胶/LOR胶两层胶系统，通过纳米压印光刻技术制备出微观形貌、尺寸可控的纳米结构图案。该方法简单易行、成本低、效率高，并且可以制备大面积的纳米结构图案。本发明制备的纳米结构图案除了可以用于产生智能防伪微纳米结构色，在光电器件以及仿生结构的制备中也具有广泛的应用前景。
基本信息
专利标题 ：
一种基于纳米压印技术的防伪微纳米结构图案的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114415468A
申请号 ：
CN202111665445.8
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2021-12-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
曾阿梅陈静方长青程有亮
申请人 ：
美盛隆制罐（惠州）有限公司;西安理工大学
申请人地址 ：
广东省惠州市惠阳区镇隆镇大路背
代理机构 ：
北京格旭知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
雒纯丹
优先权 ：
CN202111665445.8
主分类号 ：
G03F7/00
IPC分类号 ：
G03F7/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F7/00
图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G03F 7/00
申请日 : 20211231
申请日 : 20211231
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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