一种多维度图案化硅基纳米草制备方法及其应用
公开
摘要
多维度图案化硅基纳米草制备方法及其应用,包括金属辅助化学刻蚀硅基纳米草系列实验及参数设计;电场/电流辅助下多维度复杂结构表面上硅基纳米草的制备;基于光刻掩膜工艺的图案化硅基纳米草。本发明研究了金属辅助化学刻蚀硅基纳米草中的各项参数,为之后不同应用场景中工艺参数的选择提供了重要的参考依据;采用了电场/电流的辅助方法,设计了专用电流/电场下金属辅助化学刻蚀的实验平台,克服了传统制备方法中对重力的依赖性以及横向刻蚀的不可控性,实现了多维度复杂结构表面的硅基纳米草湿法可控制备技术;采用图案化掩膜方案,结合前期光刻及湿法工艺制备图案化掩膜,阻隔掩膜部分刻蚀反应的进行,实现硅基纳米草的图案化选择性刻蚀。
基本信息
专利标题 :
一种多维度图案化硅基纳米草制备方法及其应用
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114620675A
申请号 :
CN202210274651.4
公开(公告)日 :
2022-06-14
申请日 :
2022-03-18
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
徐天彤李海旺方卫东陶智吴瀚枭聂芃芃李沐润
申请人 :
北京航空航天大学
申请人地址 :
北京市海淀区学院路37号北京航空航天大学
代理机构 :
北京君有知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
焦丽雅
优先权 :
CN202210274651.4
主分类号 :
B81C1/00
IPC分类号 :
B81C1/00 B82Y40/00
IPC结构图谱
B
B部——作业;运输
B81
微观结构技术
B81C
专门适用于制造或处理微观结构的装置或系统的方法或设备
B81C1/00
在基片内或其上制造或处理的装置或系统
法律状态
2022-06-14 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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