化学气相沉积法制备硅化钛纳米线的方法
专利权的终止
摘要
本发明公开了一种化学气相沉积法制备硅化钛纳米线的方法。该方法采用气相沉积法，以SiH4和TiCl4为反应物，以N2为稀释气体和保护气氛。在玻璃基板上先形成金属硅化物(Ti5Si3、TiSi2或Ti5Si3与TiSi2复合)薄膜层，然后在金属硅化物薄膜层上形成高密度的硅化物(TiSi、Ti5Si3或TiSi2)纳米线。纳米线的直径在10～40nm之间，长度可达10μm。纳米线的形貌可通过改变工艺条件控制，纳米线的化学组成可通过改变反应物SiH4/TiCl4的摩尔比控制。
基本信息
专利标题 ：
化学气相沉积法制备硅化钛纳米线的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1822331A
申请号 ：
CN200510097001.3
公开（公告）日 ：
2006-08-23
申请日 ：
2005-12-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
杜丕一杜军郝鹏黄燕飞翁文剑韩高荣赵高凌
申请人 ：
浙江大学
申请人地址 ：
310027浙江省杭州市西湖区浙大路38号
代理机构 ：
杭州求是专利事务所有限公司
代理人 ：
林怀禹
优先权 ：
CN200510097001.3
主分类号 ：
H01L21/3205
IPC分类号 ：
H01L21/3205 H01L21/285 C23C16/00
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/3205
非绝缘层的沉积，例如绝缘层上的导电层或电阻层；这些层的后处理
法律状态
2014-03-12 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101576122103
IPC(主分类) : H01L 21/3205
专利号 : ZL2005100970013
申请日 : 20051231
授权公告日 : 20071219
终止日期 : 20121231
号牌文件序号 : 101576122103
IPC(主分类) : H01L 21/3205
专利号 : ZL2005100970013
申请日 : 20051231
授权公告日 : 20071219
终止日期 : 20121231
2007-12-19 ：
授权
2006-10-18 ：
实质审查的生效
2006-08-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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