可调谐电吸收调制分布布拉格反射激光器的制作方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明涉及半导体激光器技术领域，特别是该器件内集成了电吸收调制器和分布布拉格反射半导体激光器的制作方法。其方法是结合了选区外延生长(SAG)和量子阱混杂技术(QWI)的优点，通过选区外延生长的方法形成器件的增益区和调制器区，用量子阱混杂技术在调制器区进一步实现带隙波长蓝移形成DBR区。通过离子注入实现器件各个区域的电隔离。
基本信息
专利标题 ：
可调谐电吸收调制分布布拉格反射激光器的制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1937335A
申请号 ：
CN200510086465.4
公开（公告）日 ：
2007-03-28
申请日 ：
2005-09-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
赵玲娟张靖王圩
申请人 ：
中国科学院半导体研究所
申请人地址 ：
100083北京市海淀区清华东路甲35号
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
段成云
优先权 ：
CN200510086465.4
主分类号 ：
H01S5/00
IPC分类号 ：
H01S5/00
法律状态
2009-01-14 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-05-23 ：
实质审查的生效
2007-03-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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