用标准工艺制作金属间氧化层光波导的方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明一种用标准工艺制作金属间氧化层光波导的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一：在衬底上生长第一二氧化硅层；步骤二：在衬底上制作光源和探测器；步骤三：在二氧化硅层上淀积磷硅酸玻璃；步骤四：在磷硅酸玻璃上淀积第一金属层作波导下包层；步骤五：在第一金属层上淀积第二二氧化硅层做波导芯层；步骤六：在第二二氧化硅层上淀积第二金属层作波导上包层；其中第二二氧化硅层与硅基发光器相耦合，第二二氧化硅层与硅基光探测器相耦合。
基本信息
专利标题 ：
用标准工艺制作金属间氧化层光波导的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1967301A
申请号 ：
CN200510086898.X
公开（公告）日 ：
2007-05-23
申请日 ：
2005-11-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈弘达顾明刘海军
申请人 ：
中国科学院半导体研究所
申请人地址 ：
100083北京市海淀区清华东路甲35号
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
汤保平
优先权 ：
CN200510086898.X
主分类号 ：
G02B6/13
IPC分类号 ：
G02B6/13
IPC结构图谱
G
G部——物理
G02
光学
G02B
光学元件、系统或仪器附注
G02B6/00
光导；包含光导和其他光学元件的装置的结构零部件
G02B6/10
光波导式的
G02B6/12
集成光路类型
G02B6/13
以制作方法为特征的集成光路
法律状态
2008-11-26 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-07-18 ：
实质审查的生效
2007-05-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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