本发明涉及纳米制备、纳米加工和纳米器件的应用技术领域，特别涉及宽量程纳米真空规及其制备方法。该真空规是由纳米探针和导电电极构筑的纳米尺度隧道结构成，所述纳米探针是尖端曲率半径小于5纳米的氧化锌棒状单晶纳米探针，它的尾端通过金属电极定位沉积固定在氧化硅薄膜/硅基片或氮化硅薄膜/硅基片上，在该基片上还定位沉积有另一碳膜电极，纳米探针的针尖指向碳膜电极，针尖尖端与碳膜电极保持在未电学连接状态，且距离小于5纳米。其制备过程中利用常规的MEMS工艺，选用纳米探针结构和纳米隧道结这种非接触式的器件架构，恰当的选定加工处理工艺控制参数达到优化值，使真空规工作于电子隧穿模式，整个过程参数控制方便，加工工艺成熟，可靠性高。