基于共振隧穿器件的非易失性存储器和SRAM

专利权的终止

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摘要

本发明公开了共振隧穿器件。另外，本发明公开了使用共振隧穿器件的存储器储存装置。再者，本发明教导了使用共振隧穿势垒的NROM和NAND器件。

基本信息

专利标题：

基于共振隧穿器件的非易失性存储器和SRAM

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101048872A

申请号：

CN200580036544.2

公开（公告）日：

2007-10-03

申请日：

2005-10-19

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

袁丁

申请人：

隆智半导体公司

申请人地址：

美国爱达荷州

代理机构：

北京嘉和天工知识产权代理事务所

代理人：

严慎

优先权：

CN200580036544.2

主分类号：

H01L29/06

IPC分类号：

H01L29/06

法律状态

2017-12-08 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20051019
授权公告日 : 20110824
终止日期 : 20161019

2012-07-04 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101398726365
IPC(主分类) : H01L 29/06
专利号 : ZL2005800365442
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 隆智半导体公司
变更后权利人 : 美国智讯有限责任公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国爱达荷州
变更后权利人 : 美国加利福尼亚州
登记生效日 : 20120529

2011-08-24 ：

授权

2008-09-10 ：

实质审查的生效

2007-10-03 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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