基于共振隧穿器件的非易失性存储器和SRAM
专利权的终止
摘要
本发明公开了共振隧穿器件。另外,本发明公开了使用共振隧穿器件的存储器储存装置。再者,本发明教导了使用共振隧穿势垒的NROM和NAND器件。
基本信息
专利标题 :
基于共振隧穿器件的非易失性存储器和SRAM
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN101048872A
申请号 :
CN200580036544.2
公开(公告)日 :
2007-10-03
申请日 :
2005-10-19
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
袁丁
申请人 :
隆智半导体公司
申请人地址 :
美国爱达荷州
代理机构 :
北京嘉和天工知识产权代理事务所
代理人 :
严慎
优先权 :
CN200580036544.2
主分类号 :
H01L29/06
IPC分类号 :
H01L29/06
法律状态
2017-12-08 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20051019
授权公告日 : 20110824
终止日期 : 20161019
申请日 : 20051019
授权公告日 : 20110824
终止日期 : 20161019
2012-07-04 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101398726365
IPC(主分类) : H01L 29/06
专利号 : ZL2005800365442
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 隆智半导体公司
变更后权利人 : 美国智讯有限责任公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国爱达荷州
变更后权利人 : 美国加利福尼亚州
登记生效日 : 20120529
号牌文件序号 : 101398726365
IPC(主分类) : H01L 29/06
专利号 : ZL2005800365442
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 隆智半导体公司
变更后权利人 : 美国智讯有限责任公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国爱达荷州
变更后权利人 : 美国加利福尼亚州
登记生效日 : 20120529
2011-08-24 :
授权
2008-09-10 :
实质审查的生效
2007-10-03 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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