一种隧穿晶体管及其制备方法
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摘要
一种隧穿晶体管及其制备方法，该晶体管包括：源极、漏极及异质结；其中，异质结包括层叠的第一导电材料层和第二导电材料层，两个导电材料层中一个为二维材料，另一个为二维或三维材料制作的材料层；源极与第一导电材料层导电连接并与第二导电材料层绝缘，漏极与第二导电材料层电连接且与第一导电材料层绝缘。在上述技术方案中，沟道材料为二维材料，异质结界面势垒较小(小于0.3eV)，增加了隧穿几率，提高隧穿电流。采用局域栅结构，栅极只控制异质结隧穿区域。异质结的形成简单，且该异质结无晶格失配所导致的界面缺陷，能有效抑制泄漏电流。
基本信息
专利标题 ：
一种隧穿晶体管及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109155333A
申请号 ：
CN201680085756.8
公开（公告）日 ：
2019-01-04
申请日 ：
2016-11-23
授权号 ：
CN109155333B
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
李伟徐慧龙张臣雄
申请人 ：
华为技术有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市龙岗区坂田华为总部办公楼
代理机构 ：
北京同达信恒知识产权代理有限公司
代理人 ：
冯艳莲
优先权 ：
CN201680085756.8
主分类号 ：
H01L29/772
IPC分类号 ：
H01L29/772 H01L21/335 H01L29/08
法律状态
2022-06-14 ：
授权
2019-01-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/772
申请日 : 20161123
申请日 : 20161123
2019-01-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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