一种超微环电极及其制备方法

专利权的终止

摘要

本发明公开了一种超微环电极及其制备方法。首先，它是将裸光纤作为超微环电极的丝状绝缘基底，采用射频磁控溅射工艺在光纤丝状表面上沉积上一层金薄膜作为电极薄膜；接着，采用等离子体增强化学气相沉积工艺在金薄膜上再沉积氧化硅薄膜作为电极的绝缘薄膜；然后，用氢氟酸将同时被覆金薄膜和氧化硅薄膜的光纤一端的氧化硅薄膜腐蚀掉，使得该段光纤只被覆有金薄膜；采用银粉导电胶将该段光纤和铜引线相连；最后，将超微环电极的铜引线部分组装到塑料套筒内，采用光纤刀笔在被覆金薄膜和氮化硅薄膜的光纤的另一端切割出超微环电极表面。

基本信息

专利标题：

一种超微环电极及其制备方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1789997A

申请号：

CN200510096451.0

公开（公告）日：

2006-06-21

申请日：

2005-12-01

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

蒋庄德朱明智景蔚萱杨彪

申请人：

西安交通大学

申请人地址：

710049陕西省西安市咸宁路28号

代理机构：

西安通大专利代理有限责任公司

代理人：

刘国智

优先权：

CN200510096451.0

主分类号：

G01N27/30

IPC分类号：

G01N27/30 C25B11/00