一种提高电感品质因子的版图结构
专利申请权、专利权的转移
摘要
本发明公开了一种提高电感品质因子的版图结构，它采用常规的CMOS工艺，可以减少由于衬底感应电流给电感带来的磁通量损失，提高电感Q值，该结构是在电感版图中的衬底和金属层之间增加衬底屏蔽层，所述衬底屏蔽层采用由互补方向连接的十字型封闭对称线结构，所述的十字型封闭对称线在屏蔽层中心互连，十字型封闭对称线中心以及屏蔽层四角端点分别接地。
基本信息
专利标题 ：
一种提高电感品质因子的版图结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1979851A
申请号 ：
CN200510110882.8
公开（公告）日 ：
2007-06-13
申请日 ：
2005-11-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
晏颖
申请人 ：
上海华虹NEC电子有限公司
申请人地址 ：
201206上海市浦东新区川桥路1188号
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
丁纪铁
优先权 ：
CN200510110882.8
主分类号 ：
H01L27/01
IPC分类号 ：
H01L27/01
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/01
只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
法律状态
2014-02-12 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移变更后权利人 : 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
登记生效日 : 20140110
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101690302157
IPC(主分类) : H01L 27/01
专利号 : ZL2005101108828
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 上海华虹NEC电子有限公司
变更后权利人 : 上海华虹宏力半导体制造有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 201206 上海市浦东新区川桥路1188号
登记生效日 : 20140110
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101690302157
IPC(主分类) : H01L 27/01
专利号 : ZL2005101108828
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 上海华虹NEC电子有限公司
变更后权利人 : 上海华虹宏力半导体制造有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 201206 上海市浦东新区川桥路1188号
2008-12-24 ：
授权
2007-08-08 ：
实质审查的生效
2007-06-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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