大功率MOS管及其制作方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明公开了一种大功率MOS管，包括电极和接触孔，所述接触孔包括穿过半导体器件中不同层面得通孔和所述通孔中得导电物质，在接触孔底部与电极相连接得的导电物质为钴硅合金。本发明还公开了一种大功率MOS管的制作方法，在现有工艺形成接触孔之后，依次增加钴溅射、快速热退火、不反应的钴去除三个步骤。通过上述方法制作出的大功率MOS管，能够在小尺寸的条件下，使MOS管接触孔具有较小的电阻，并大大提高了大功率MOS管的可靠性。
基本信息
专利标题 ：
大功率MOS管及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1979891A
申请号 ：
CN200510111169.5
公开（公告）日 ：
2007-06-13
申请日 ：
2005-12-06
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张朝阳缪进征张雷
申请人 ：
上海华虹NEC电子有限公司
申请人地址 ：
201206上海市浦东新区川桥路1188号
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
丁纪铁
优先权 ：
CN200510111169.5
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/40 H01L21/336 H01L21/28
法律状态
2011-01-05 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
号牌文件类型代码 : 1603
号牌文件序号 : 101058457036
IPC(主分类) : H01L 29/78
专利申请号 : 2005101111695
公开日 : 20070613
号牌文件序号 : 101058457036
IPC(主分类) : H01L 29/78
专利申请号 : 2005101111695
公开日 : 20070613
2007-08-08 ：
实质审查的生效
2007-06-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
