一种在有源区表面制作超高电阻的方法
专利申请权、专利权的转移
摘要
本发明公开了一种在有源区表面制作超高电阻的方法,包括如下步骤:步骤一、在硅衬底上淀积一层牺牲氧化层;步骤二、进行高能量低剂量的磷注入;步骤三、进行退火和杂质激活;步骤四、制作电阻接触电极。本发明方法通过直接在有源区进行高能量低剂量的磷注入可以得到5000欧姆/方块以上的超高电阻,有效简化了器件结构,而且工艺简单,可节约制作成本,提高了器件的可靠性。
基本信息
专利标题 :
一种在有源区表面制作超高电阻的方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1983526A
申请号 :
CN200510111421.2
公开(公告)日 :
2007-06-20
申请日 :
2005-12-13
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
钱文生胡君
申请人 :
上海华虹NEC电子有限公司
申请人地址 :
201206上海市浦东新区川桥路1188号
代理机构 :
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 :
丁纪铁
优先权 :
CN200510111421.2
主分类号 :
H01L21/3205
IPC分类号 :
H01L21/3205 H01L21/266 H01L21/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体,如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的,例如用于掩膜的或应用光刻技术的;以及这些层的后处理;这些层的材料的选择
H01L21/3205
非绝缘层的沉积,例如绝缘层上的导电层或电阻层;这些层的后处理
法律状态
2014-02-12 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101690304925
IPC(主分类) : H01L 21/3205
专利号 : ZL2005101114212
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 上海华虹NEC电子有限公司
变更后权利人 : 上海华虹宏力半导体制造有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 201206 上海市浦东新区川桥路1188号
变更后权利人 : 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
登记生效日 : 20140110
号牌文件序号 : 101690304925
IPC(主分类) : H01L 21/3205
专利号 : ZL2005101114212
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 上海华虹NEC电子有限公司
变更后权利人 : 上海华虹宏力半导体制造有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 201206 上海市浦东新区川桥路1188号
变更后权利人 : 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
登记生效日 : 20140110
2009-04-01 :
授权
2007-08-15 :
实质审查的生效
2007-06-20 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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