一种在有源区表面制作超高电阻的方法

专利申请权、专利权的转移

摘要

本发明公开了一种在有源区表面制作超高电阻的方法，包括如下步骤：步骤一、在硅衬底上淀积一层牺牲氧化层；步骤二、进行高能量低剂量的磷注入；步骤三、进行退火和杂质激活；步骤四、制作电阻接触电极。本发明方法通过直接在有源区进行高能量低剂量的磷注入可以得到5000欧姆/方块以上的超高电阻，有效简化了器件结构，而且工艺简单，可节约制作成本，提高了器件的可靠性。

基本信息

专利标题：

一种在有源区表面制作超高电阻的方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1983526A

申请号：

CN200510111421.2

公开（公告）日：

2007-06-20

申请日：

2005-12-13

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

钱文生胡君

申请人：

上海华虹NEC电子有限公司

申请人地址：

201206上海市浦东新区川桥路1188号

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司

代理人：

丁纪铁

优先权：

CN200510111421.2

主分类号：

H01L21/3205

IPC分类号：

H01L21/3205 H01L21/266 H01L21/02

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/02

半导体器件或其部件的制造或处理

H01L21/04

至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层

H01L21/18

器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料

H01L21/30

用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的

H01L21/31

在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择

H01L21/3205

非绝缘层的沉积，例如绝缘层上的导电层或电阻层；这些层的后处理

法律状态

2014-02-12 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101690304925
IPC(主分类) : H01L 21/3205
专利号 : ZL2005101114212
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 上海华虹NEC电子有限公司
变更后权利人 : 上海华虹宏力半导体制造有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 201206 上海市浦东新区川桥路1188号
变更后权利人 : 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
登记生效日 : 20140110

2009-04-01 ：

授权

2007-08-15 ：

实质审查的生效

2007-06-20 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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