高密度MgB2超导带材的制备方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明涉及一种高密度MgB2超导带材的制备方法。该方法的具体步骤如下：将Mg粉料和B粉料，经研磨后封入钽箔，将钽箔放置于加热管内，并在惰性气氛下，升温至650～950℃，保温0.5～10小时，进行第一次烧结制成MgB2超导材料；将MgB2超导材料研磨成颗粒度为2～3μm的MgB2粉末，再与Mg粉和B粉混合后进行第二次烧结，即得到高密度的MgB2超导带材。本发明方法制得的MgB2超导带材具有细化的晶粒、较大的晶界面积、理想的晶界连接，不存在微裂纹，并且不夹杂有其他的化合物，纯度很高。
基本信息
专利标题 ：
高密度MgB2超导带材的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1794364A
申请号 ：
CN200510111915.0
公开（公告）日 ：
2006-06-28
申请日 ：
2005-12-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李文献李瑛朱明原金红明陈荣华
申请人 ：
上海大学
申请人地址 ：
200444上海市宝山区上大路99号
代理机构 ：
上海上大专利事务所
代理人 ：
何文欣
优先权 ：
CN200510111915.0
主分类号 ：
H01B12/00
IPC分类号 ：
H01B12/00 H01B13/00 H01L39/24
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01B
电缆；导体；绝缘体；导电、绝缘或介电材料的选择
H01B12/00
超导或高导导体、电缆或传输线
法律状态
2008-07-09 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-08-23 ：
实质审查的生效
2006-06-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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