一种平板电容及其实现方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明公开一种平板电容，包括硅衬底层、二氧化硅层，下极板、二氧化硅绝缘层及上极板，其中，下极板、二氧化硅绝缘层及上极板相互配合向上或向下凸起形成沟槽。通过本发明，从沟槽侧壁方向上增加平板电容的有效面积，在增大平板电容的电容值的同时，不增加平板电容平面上的占用面积。
基本信息
专利标题 ：
一种平板电容及其实现方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1988158A
申请号 ：
CN200510111957.4
公开（公告）日 ：
2007-06-27
申请日 ：
2005-12-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
钱文生胡君
申请人 ：
上海华虹NEC电子有限公司
申请人地址 ：
201206上海市浦东新区金桥出口加工区川桥路1188号综合楼403室
代理机构 ：
上海智信专利代理有限公司
代理人 ：
王洁
优先权 ：
CN200510111957.4
主分类号 ：
H01L27/108
IPC分类号 ：
H01L27/108 H01L27/102 H01L27/10 H01L27/00 H01L29/92 H01L21/8242 H01L21/8222 H01L21/82 H01L21/02 H01L21/00 H01G4/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/108
动态随机存取存储结构的
法律状态
2009-05-06 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-08-22 ：
实质审查的生效
2007-06-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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