采用斜坡型激光束的硅结晶方法
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要
一种结晶方法，包括：在基板上形成非晶硅层；通过由具有沿扫描方向降低的斜坡型横截面的激光束照射非晶硅层形成第一结晶区域；通过在扫描方向上移动预定长度执行第二结晶以与由第一结晶形成的第一结晶区域局部重叠。
基本信息
专利标题 ：
采用斜坡型激光束的硅结晶方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1783426A
申请号 ：
CN200510115452.5
公开（公告）日 ：
2006-06-07
申请日 ：
2005-11-03
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
俞载成
申请人 ：
LG.菲利浦LCD株式会社
申请人地址 ：
韩国首尔
代理机构 ：
北京律诚同业知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐金国
优先权 ：
CN200510115452.5
主分类号 ：
H01L21/00
IPC分类号 ：
H01L21/00 H01L21/20 H01L21/268 H01L21/324 H01L21/336 B23K26/00 C30B28/00 G02F1/133
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
法律状态
2008-07-23 ：
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
变更事项 : 专利权人
变更前 : LG.菲利浦LCD株式会社
变更后 : 乐金显示有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 韩国首尔
变更后 : 韩国首尔
变更前 : LG.菲利浦LCD株式会社
变更后 : 乐金显示有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 韩国首尔
变更后 : 韩国首尔
2008-06-04 ：
授权
2006-08-02 ：
实质审查的生效
2006-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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