光刻设备、检偏片、组件、测量参数的方法和构图装置
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摘要
通过投影辐射束来照射在投影系统(PL)和辐射传感器(DS)之间的检偏片(AP)。该检偏片包含2个交叉区域，其中每一个传输具有不同偏振方向的辐射。构图该投影辐射束而不影响该束的偏振。通过构图投影辐射束，使得一个区域接收比另一区域更多的辐射，辐射传感器(DS)被给予偏振选择性。
基本信息
专利标题 ：
光刻设备、检偏片、组件、测量参数的方法和构图装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1790170A
申请号 ：
CN200510131777.2
公开（公告）日 ：
2006-06-21
申请日 ：
2005-12-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
T·F·森格斯M·A·范德科霍夫
申请人 ：
ASML荷兰有限公司
申请人地址 ：
荷兰维尔德霍芬
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
李亚非
优先权 ：
CN200510131777.2
主分类号 ：
G03F7/20
IPC分类号 ：
G03F7/20 H01L21/027 G01J1/42
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F7/00
图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备
G03F7/20
曝光及其设备
法律状态
2010-05-05 ：
授权
2008-02-13 ：
实质审查的生效
2006-06-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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