一种减少多晶硅生长工艺崩边的石英舟
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要
本发明提供了一种减少多晶硅生长工艺崩边的石英舟，它包括固定片，舟脚棒，上料棒，下料棒，所述的下料棒为三个，其中，位于中间的下料棒开槽，槽深度大于硅片进入下料棒槽中的深度，该硅片的下边缘不能与棒槽的槽底相接触，下料位于两侧的支撑用下料棒的横断面的上部为平面，下部为弧型的料棒。本发明优点：由于下料棒开槽深度大于硅片进入下料棒槽中的深度，杜绝了下料棒开槽槽底加工难，避免了光洁度达不到要求而引起的崩边问题，提高产品质量及合格率，其不合格率下降了一点几个百分点。
基本信息
专利标题 ：
一种减少多晶硅生长工艺崩边的石英舟
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1992191A
申请号 ：
CN200510132576.4
公开（公告）日 ：
2007-07-04
申请日 ：
2005-12-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
万关良王喆徐继平张果虎王敬刘斌
申请人 ：
北京有色金属研究总院;有研半导体材料股份有限公司
申请人地址 ：
100088北京市新街口外大街2号
代理机构 ：
北京北新智诚知识产权代理有限公司
代理人 ：
郭佩兰
优先权 ：
CN200510132576.4
主分类号 ：
H01L21/673
IPC分类号 ：
H01L21/673
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/673
使用专用的载体的
法律状态
2021-07-13 ：
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : H01L 21/673
变更事项 : 专利权人
变更前 : 有研半导体材料有限公司
变更后 : 有研半导体硅材料股份公司
变更事项 : 地址
变更前 : 101300 北京市顺义区林河工业开发区双河路南侧
变更后 : 101300 北京市顺义区林河工业开发区双河路南侧
变更事项 : 专利权人
变更前 : 有研半导体材料有限公司
变更后 : 有研半导体硅材料股份公司
变更事项 : 地址
变更前 : 101300 北京市顺义区林河工业开发区双河路南侧
变更后 : 101300 北京市顺义区林河工业开发区双河路南侧
2015-07-08 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101717591753
IPC(主分类) : H01L 21/673
专利号 : ZL2005101325764
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 有研新材料股份有限公司
变更后权利人 : 有研半导体材料有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 100088 北京市新街口外大街2号
变更后权利人 : 101300 北京市顺义区林河工业开发区双河路南侧
登记生效日 : 20150617
号牌文件序号 : 101717591753
IPC(主分类) : H01L 21/673
专利号 : ZL2005101325764
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 有研新材料股份有限公司
变更后权利人 : 有研半导体材料有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 100088 北京市新街口外大街2号
变更后权利人 : 101300 北京市顺义区林河工业开发区双河路南侧
登记生效日 : 20150617
2014-07-02 ：
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101702310988
IPC(主分类) : H01L 21/673
专利号 : ZL2005101325764
变更事项 : 专利权人
变更前 : 有研半导体材料股份有限公司
变更后 : 有研新材料股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 100088 北京市新街口外大街2号
变更后 : 100088 北京市新街口外大街2号
号牌文件序号 : 101702310988
IPC(主分类) : H01L 21/673
专利号 : ZL2005101325764
变更事项 : 专利权人
变更前 : 有研半导体材料股份有限公司
变更后 : 有研新材料股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 100088 北京市新街口外大街2号
变更后 : 100088 北京市新街口外大街2号
2012-03-14 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101297521003
IPC(主分类) : H01L 21/673
专利号 : ZL2005101325764
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 北京有色金属研究总院
变更后权利人 : 有研半导体材料股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 100088 北京市新街口外大街2号
变更后权利人 : 100088 北京市新街口外大街2号
变更事项 : 共同专利权人
变更前权利人 : 有研半导体材料股份有限公司
变更后权利人 : 无
登记生效日 : 20120130
号牌文件序号 : 101297521003
IPC(主分类) : H01L 21/673
专利号 : ZL2005101325764
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 北京有色金属研究总院
变更后权利人 : 有研半导体材料股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 100088 北京市新街口外大街2号
变更后权利人 : 100088 北京市新街口外大街2号
变更事项 : 共同专利权人
变更前权利人 : 有研半导体材料股份有限公司
变更后权利人 : 无
登记生效日 : 20120130
2009-02-04 ：
授权
2007-08-29 ：
实质审查的生效
2007-07-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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