一种防止硅片在生长多晶过程中产生崩边的石英舟

专利权的终止

摘要

一种防止硅片在生长多晶过程中产生崩边的石英舟，它包括：石英舟架，石英舟定位棒，石英舟定位管，上料棒，所述的石英舟上料棒的外面，套一个石英护管，石英护管的直径较上料棒大，石英护管上开槽，开槽的位置为上料棒开槽的上方，且垂直于上料棒的轴线。本实用新型的优点是：因在上料棒上增加了护管，使上料棒和其上方的护管较原来增加了硅片与石英舟相近的面积，相近处产生的留层使得该处的生长速率较硅片的其他部分的生长速率慢，即该处的多晶硅的厚度较硅片的其它部分的多晶硅的厚度薄，多晶越薄产生的硅片的崩边越少，提高了产品收率。

基本信息

专利标题：

一种防止硅片在生长多晶过程中产生崩边的石英舟

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN200720190343.4

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2007-11-23

授权号：

CN201128778Y

授权日：

2008-10-08

发明人：

万关良王喆徐继平王辉陆小勇

申请人：

北京有色金属研究总院;有研半导体材料股份有限公司

申请人地址：

100088北京市新街口外大街2号

代理机构：

北京北新智诚知识产权代理有限公司

代理人：

郭佩兰

优先权：

CN200720190343.4

主分类号：

C30B25/02

IPC分类号：

C30B25/02 C30B29/06

IPC结构图谱

C部——化学；冶金

C30

晶体生长

C30B

单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置

C30B25/00

反应气体化学反应法的单晶生长，例如化学气相沉积生长

C30B25/02

外延层生长

法律状态

2017-12-26 ：

专利权的终止

专利权有效期届满IPC(主分类) : C30B 25/02
申请日 : 20071123
授权公告日 : 20081008

2015-07-01 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101717160523
IPC(主分类) : C30B 25/02
专利号 : ZL2007201903434
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 有研新材料股份有限公司
变更后权利人 : 有研半导体材料有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 100088 北京市新街口外大街2号
变更后权利人 : 101300 北京市顺义区林河工业开发区双河路南侧
登记生效日 : 20150611

2014-07-02 ：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101702318097
IPC(主分类) : C30B 25/02
专利号 : ZL2007201903434
变更事项 : 专利权人
变更前 : 有研半导体材料股份有限公司
变更后 : 有研新材料股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 100088 北京市新街口外大街2号
变更后 : 100088 北京市新街口外大街2号

2012-03-28 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101309722221
IPC(主分类) : C30B 25/02
专利号 : ZL2007201903434
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 北京有色金属研究总院
变更后权利人 : 有研半导体材料股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 100088 北京市新街口外大街2号
变更后权利人 : 100088 北京市新街口外大街2号
变更事项 : 共同专利权人
变更前权利人 : 有研半导体材料股份有限公司
变更后权利人 : 无
登记生效日 : 20120216

2008-10-08 ：

授权

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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