磁逻辑装置及其制造和操作方法
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摘要
提供了一种MLD(磁逻辑装置)以及制造和操作该磁逻辑装置的方法。所述MLD包括：第一互连部分；下磁层，形成在所述第一互连部分上，所述下磁层的磁方向被固定为预定方向；非磁层，形成在所述下磁层上；上磁层，形成在所述非磁层上，所述上磁层的磁方向与所述下磁层的磁方向平行或反向平行；第二互连部分，形成在所述上磁层上。第一电流源置于第一互连部分的一端和第二互连部分的一端之间，第二电流源置于第一互连部分的另一端和第二互连部分的另一端之间。
基本信息
专利标题 ：
磁逻辑装置及其制造和操作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1805166A
申请号 ：
CN200510135660.1
公开（公告）日 ：
2006-07-19
申请日 ：
2005-12-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金成栋金恩植丁柱焕高亨守闵桐基朴弘植洪承范
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京铭硕知识产权代理有限公司
代理人 ：
郭鸿禧
优先权 ：
CN200510135660.1
主分类号 ：
H01L43/08
IPC分类号 ：
H01L43/08 H01L43/12 H01L27/22 G11C11/16 G11C11/15
法律状态
2009-07-29 ：
授权
2006-09-13 ：
实质审查的生效
2006-07-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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