集成注入逻辑电路的制造方法

专利权的终止

摘要

一种制备I²L电路中的方法，包括(i)在衬底中形成公共的横向双极晶体管的基极和垂直双极多集电极晶体管的发射极，公共的横向晶体管的集电极和垂直多集电极晶体管的基极，以及横向晶体管的发射极(10)；(ii)由第一淀积多晶层形成共集电极/基极的接触区(7’)和横向晶体管的发射极的接触区(7”)；(iii)形成电隔离共集电极/基极的多晶接触区(7’)的隔离结构(8)；以及(iv)由第二淀积多晶层形成共基极/发射极的接触区(11’)和垂直多集电极晶体管的多个集电极(11”)。

基本信息

专利标题：

集成注入逻辑电路的制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1790673A

申请号：

CN200510119987.X

公开（公告）日：

2006-06-21

申请日：

2005-09-30

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

T·约翰松H·诺尔斯特伦

申请人：

因芬尼昂技术股份公司

申请人地址：

德国慕尼黑

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

张雪梅

优先权：

CN200510119987.X

主分类号：

H01L21/8222

IPC分类号：

H01L21/8222 H01L21/8224 H01L21/8226 H01L21/8228 H01L27/082

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/70

由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

H01L21/77

在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理

H01L21/78

把衬底连续地分成多个独立的器件

H01L21/82

制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路

H01L21/822

衬底是采用硅工艺的半导体的

H01L21/8222

双极工艺

法律状态

2017-11-24 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/8222
申请日 : 20050930
授权公告日 : 20081119
终止日期 : 20160930

2008-11-19 ：

授权

2006-08-16 ：

实质审查的生效

2006-06-21 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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