帕尔帖元件或塞贝克元件的结构及其制造方法
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摘要
一种包括具有不同的塞贝克系数的第1和第2导电部件的帕尔帖或塞贝克元件。为了减小从每个导电部件中的一个到另一个的热传导，在长度方向上的中间部分的横截面面积小于两个端部的横截面的面积。可以通过将每个导电部件的中间部分的横截面分割为小块而改变横截面的形状、或使用非晶硅等导热系数低于两个端部的导热系数的材料作为中间部分，来代替横截面的减小。这样，提供一种高功能的帕尔帖/塞贝克元件及其制造方法，该帕尔帖/塞贝克元件的加热部分与相反部分之间的温差能够长时间保持为规定温差。
基本信息
专利标题 ：
帕尔帖元件或塞贝克元件的结构及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101044638A
申请号 ：
CN200580035593.4
公开（公告）日 ：
2007-09-26
申请日 ：
2005-10-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
近藤义臣岩泽直孝
申请人 ：
株式会社明电舍;近藤义臣;岩泽直孝
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
王以平
优先权 ：
CN200580035593.4
主分类号 ：
H01L35/32
IPC分类号 ：
H01L35/32 H01L35/16 H01L35/34
法律状态
2012-05-09 ：
授权
2007-11-21 ：
实质审查的生效
2007-09-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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