一种有机半导体材料帕尔帖效应测试方法
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摘要
一种有机半导体材料帕尔帖效应的测试方法，包括(1)制备含有有机半导体材料的悬空结构的场效应晶体管；(2)将步骤(1)的悬空结构的场效应晶体管分别与直流电压源和交流电压源连接；(3)将步骤(2)的连接后的悬空结构的场效应晶体管置于真空环境中，采用交流电压激励待测悬空结构的场效应晶体管；根据场效应晶体管表面温度振荡的表达式，特异性的提取测试信号内的T0ω，T1ω，T2ω就可以实现帕尔帖信号和焦耳热信号的区分和提取。所述测试方法可以显著减少测试环节中基底热传导对测试过程种热量信号的干扰；显著降低了大气环境热对流对测试信号的干扰；通过以上方法显著降低了外界环境对测试信号的干扰，增强了测试灵敏度。
基本信息
专利标题 ：
一种有机半导体材料帕尔帖效应测试方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113447785A
申请号 ：
CN202010215283.7
公开（公告）日 ：
2021-09-28
申请日 ：
2020-03-24
授权号 ：
CN113447785B
授权日 ：
2022-05-27
发明人 ：
狄重安金文龙项兰义朱道本
申请人 ：
中国科学院化学研究所
申请人地址 ：
北京市海淀区中关村北一街2号
代理机构 ：
北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
聂稻波
优先权 ：
CN202010215283.7
主分类号 ：
G01R31/26
IPC分类号 ：
G01R31/26
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R31/26
•单个半导体器件的测试
法律状态
2022-05-27 ：
授权
2021-10-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01R 31/26
申请日 : 20200324
申请日 : 20200324
2021-09-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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