中孔薄膜及其制造方法
专利权的终止
摘要
本发明提供一种空孔率高、机械强度强的导电性多孔质薄膜，本发明的中孔薄膜通过以下工序形成：调制含有磷酸和界面活性剂的前驱体溶液的工序、将所述前驱体溶液供给到基板上形成前驱体薄膜的工序、使含有金属的蒸汽与在形成所述薄膜的工序中得到的前驱体薄膜接触的接触工序、所述含有金属的蒸汽与磷酸反应形成自组织化薄膜的工序、使界面活性剂从自组织化薄膜脱离的脱离工序，并且，具有磷酸金属盐(M－POX)骨架的交联结构体以包围周期性排列的空孔的方式排列。
基本信息
专利标题 ：
中孔薄膜及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101053067A
申请号 ：
CN200580036078.8
公开（公告）日 ：
2007-10-10
申请日 ：
2005-10-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
西山宪和高冈将树神泽公
申请人 ：
国立大学法人大阪大学;罗姆股份有限公司
申请人地址 ：
日本国大阪府
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
李贵亮
优先权 ：
CN200580036078.8
主分类号 ：
H01L21/288
IPC分类号 ：
H01L21/288 H01L31/04
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/28
用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的
H01L21/283
用于电极的导电材料或绝缘材料的沉积
H01L21/288
液体的沉积，例如，电解沉积
法律状态
2011-02-02 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101035921196
IPC(主分类) : H01L 21/288
专利号 : ZL2005800360788
申请日 : 20051020
授权公告日 : 20090722
终止日期 : 20091120
号牌文件序号 : 101035921196
IPC(主分类) : H01L 21/288
专利号 : ZL2005800360788
申请日 : 20051020
授权公告日 : 20090722
终止日期 : 20091120
2009-07-22 ：
授权
2007-12-05 ：
实质审查的生效
2007-10-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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