基于温度的DRAM刷新

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

摘要

本发明公开一种基于温度测量控制DRAM单元阵列的刷新周期的系统。在主动模式期间，将基于测量温度的刷新请求指示提供给DRAM控制器(例如另一个集成电路晶片的)，其中DRAM控制器(121)响应该指示启动DRAM单元阵列(105)的刷新周期。在自刷新模式中，DRAM控制器不启动刷新周期，但是刷新周期由阵列的集成电路晶片上的控制器基于温度测量而执行。

基本信息

专利标题：

基于温度的DRAM刷新

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101061548A

申请号：

CN200580039178.6

公开（公告）日：

2007-10-24

申请日：

2005-11-10

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

阿尔纳多·R·克鲁兹卡迪尔·A·库雷希

申请人：

飞思卡尔半导体公司

申请人地址：

美国得克萨斯

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

康建峰

优先权：

CN200580039178.6

主分类号：

G11C7/00

IPC分类号：

G11C7/00 H01L37/00

IPC结构图谱

G部——物理

G11

信息存储

G11C

静态存储器

G11C7/00

数字存储器信息的写入或读出装置

法律状态

2017-11-24 ：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

IPC(主分类) : G11C 7/00
变更事项 : 专利权人
变更前 : 飞思卡尔半导体公司
变更后 : 恩智浦美国有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 美国得克萨斯
变更后 : 美国得克萨斯

2011-08-10 ：

授权

2007-12-19 ：

实质审查的生效

2007-10-24 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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