引导式自动刷新同步
授权
摘要
在引导式自动刷新(DARF)模式中，由控制器发出刷新命令，且在存储器模块内部维持刷新行和库地址。在进入DARF模式时，所述存储器内部的库地址计数器被初始化为第一预定值。所述存储器响应于DARF命令刷新当前经定址的库，且以预定顺序递增所述库地址计数器。所述控制器跟踪所述库地址，且如果存储器存取和刷新是针对不同的库，那么所述控制器可在正执行DARF操作时发出一个或一个以上存储器存取命令。在退出自刷新模式时，库地址计数器采用第二预定值。所述第二预定值可以是固定的，或可为n+1，其中n是当起动自刷新模式时所述库地址计数器的值。
基本信息
专利标题 ：
引导式自动刷新同步
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101091221A
申请号 ：
CN200580045174.9
公开（公告）日 ：
2007-12-19
申请日 ：
2005-12-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
罗伯特·迈克尔·沃克佩里·威尔曼·小雷马克吕思
申请人 ：
高通股份有限公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
王允方
优先权 ：
CN200580045174.9
主分类号 ：
G11C11/406
IPC分类号 ：
G11C11/406 G06F13/16
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/08
应用多孔存储元件的，例如：应用多孔磁芯存储器；应用把几个单独的多孔存储元件合并起来的板
G11C11/21
应用电元件的
G11C11/34
应用半导体器件的
G11C11/40
应用晶体管的
G11C11/401
形成需要刷新或电荷再生的单元的，即，动态单元的
G11C11/406
刷新或电荷再生周期的管理或控制
法律状态
2012-04-18 ：
授权
2008-02-13 ：
实质审查的生效
2007-12-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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