减少多层快闪存储器中软写的方法和系统
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
在读或校验中，减少多层快闪存储器的软写的系统和方法包括存储单元。第一和第二参考单元与所述存储单元耦合，并设置成接收第一和第二电压。电流比较电路与所述第一和第二参考单元以及所述存储单元耦合，并设置成将流过所述存储单元的电流与流过第一和第二参考单元的电流进行比较，当所述第一参考单元接收第一电压时测定所述存储单元是否持有第一范围的值，并且如果所述存储单元不持有所述第一范围的值，则当第二参考单元接收第二电压时测定所述存储单元是否持有第二范围的值，从而减少读操作过程中的软写。
基本信息
专利标题 ：
减少多层快闪存储器中软写的方法和系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101091220A
申请号 ：
CN200580044989.5
公开（公告）日 ：
2007-12-19
申请日 ：
2005-12-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
罗伦佐·巴塔瑞达法比奥·塔萨·卡斯尔西蒙妮·巴托利乔治·奥多尼
申请人 ：
爱特梅尔股份有限公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
上海恩田旭诚知识产权代理有限公司
代理人 ：
丁国芳
优先权 ：
CN200580044989.5
主分类号 ：
G11C11/34
IPC分类号 ：
G11C11/34
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/08
应用多孔存储元件的，例如：应用多孔磁芯存储器；应用把几个单独的多孔存储元件合并起来的板
G11C11/21
应用电元件的
G11C11/34
应用半导体器件的
法律状态
2010-02-24 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2008-02-13 ：
实质审查的生效
2007-12-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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