由叠置元件组成的微结构的集体性制造过程
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要
本发明涉及叠置微结构，例如集成电路和保护覆盖层，的集体性制造。集体性地制造单个结构，每个单个结构都包含叠置的第一和第二元件。第一元件(例如，集成电路芯片)在第一平板(10)上制造，第二元件(例如，透明覆盖层)在第二平板(40)上制造。两个平板在其相向表面的主要部分上相互粘接，但是不存在粘附的特定区域(ZDn)中不进行粘接。随后，沿着穿过没有粘附的区域的不同的并行切割线(LH1n，LH2n，LDn)，一方面经由上方另一方面经由下方切割所述单个结构，从而在切割之后，第二元件保留有未被第二元件遮盖的表面部分(这些部分位于平行切割线之间)。因此，连接触点(PLn)在该处可以保持可以被接触。本发明可以应用于被玻璃平板覆盖的图像传感器或者显示器的制造，但是更广泛地应用于所有类型的微型机器结构(MEMS，MOE
基本信息
专利标题 ：
由叠置元件组成的微结构的集体性制造过程
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101124673A
申请号 ：
CN200580046593.4
公开（公告）日 ：
2008-02-13
申请日 ：
2005-12-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
P·罗默沃B·阿斯帕尔
申请人 ：
E2V半导体公司;特拉希特技术公司
申请人地址 ：
法国圣艾格夫
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
林锦辉
优先权 ：
CN200580046593.4
主分类号 ：
H01L23/02
IPC分类号 ：
H01L23/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/02
容器；封接
法律状态
2018-07-13 ：
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : H01L 23/02
变更事项 : 专利权人
变更前 : E2V半导体公司
变更后 : 特励达易图威半导体股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 法国圣艾格夫
变更后 : 法国圣艾格夫
变更事项 : 共同专利权人
变更前 : 硅绝缘技术公司
变更后 : 硅绝缘技术公司
变更事项 : 专利权人
变更前 : E2V半导体公司
变更后 : 特励达易图威半导体股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 法国圣艾格夫
变更后 : 法国圣艾格夫
变更事项 : 共同专利权人
变更前 : 硅绝缘技术公司
变更后 : 硅绝缘技术公司
2010-12-08 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101049388414
IPC(主分类) : H01L 23/02
专利号 : ZL2005800465934
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : E2V半导体公司
变更后权利人 : E2V半导体公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 法国圣艾格夫
变更后权利人 : 法国圣艾格夫
变更事项 : 共同专利权人
变更前权利人 : 特拉希特技术公司
变更后权利人 : 硅绝缘技术公司
登记生效日 : 20101028
号牌文件序号 : 101049388414
IPC(主分类) : H01L 23/02
专利号 : ZL2005800465934
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : E2V半导体公司
变更后权利人 : E2V半导体公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 法国圣艾格夫
变更后权利人 : 法国圣艾格夫
变更事项 : 共同专利权人
变更前权利人 : 特拉希特技术公司
变更后权利人 : 硅绝缘技术公司
登记生效日 : 20101028
2009-09-16 ：
授权
2008-04-09 ：
实质审查的生效
2008-02-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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