从用于等离子体处理设备的硅和碳化硅电极表面除去黑硅和黑碳...
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摘要
提供了一种从等离子体处理腔的上电极的等离子体暴露表面除去黑硅或黑碳化硅的方法。该方法包括使用包含含氟气体的气体组合物形成等离子体，并且用该等离子体从表面除去黑硅或黑碳化硅。该方法还可以从上电极以外的处理腔中元件的表面除去黑硅或黑碳化硅。
基本信息
专利标题 ：
从用于等离子体处理设备的硅和碳化硅电极表面除去黑硅和黑碳化硅的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101102909A
申请号 ：
CN200580046637.3
公开（公告）日 ：
2008-01-09
申请日 ：
2005-12-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
E·马格尼M·凯利R·赫夫蒂M·鲁潘
申请人 ：
兰姆研究公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
李帆
优先权 ：
CN200580046637.3
主分类号 ：
B44C1/22
IPC分类号 ：
B44C1/22 C03C15/00 C03C25/68 C23F1/00
IPC结构图谱
B
B部——作业；运输
B44
装饰艺术
B44C
产生装饰效果的工艺；镶嵌制品；镶木制品；裱糊
B44C1/00
其他类目不专门包含的用于产生装饰表面效果的工艺
B44C1/22
去除表面材料的，例如通过雕刻、通过蚀刻的
法律状态
2011-11-30 ：
授权
2008-02-27 ：
实质审查的生效
2008-01-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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