单面黑硅制绒方法及由其制作的单面黑硅
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种单面黑硅制绒方法及由其制作的单面黑硅，基于本发明所提供的单面黑硅制绒方法，具有金属催化离子的胶体仅覆于硅片的一侧表面，使得催化金属颗粒也仅沉积于硅片的相应表面，所制得的单面黑硅不会存在背面绕腐蚀的问题；而且在该方法的具体实施过程中，沉积于硅片表面的催化金属颗粒与硅片本身表面的平整度无关，只需要确保胶体内金属催化离子分布均匀即可实现硅片表面金属催化颗粒的均匀分布，进而较为容易使得所获得制绒面上的腐蚀坑分布均匀，具有较高的制绒质量。
基本信息
专利标题 ：
单面黑硅制绒方法及由其制作的单面黑硅
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551615A
申请号 ：
CN202011332677.7
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2020-11-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
曹芳叶晓亚周思洁邹帅王栩生
申请人 ：
苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市高新区鹿山路199号
代理机构 ：
苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
宋启超
优先权 ：
CN202011332677.7
主分类号 ：
H01L31/0236
IPC分类号 ：
H01L31/0236 H01L31/18
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/0236
申请日 : 20201124
申请日 : 20201124
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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