阵列型多层陶瓷电容及其制造方法
专利权的终止
摘要

本发明提供一种制造阵列型多层陶瓷电容的方法,该方法包括以下步骤:形成电介质膜;形成电介质基板,通过多个喷墨打印头将用于内部电极的墨和用于电介质基板的墨喷射在电介质薄膜上,在所述电介质基板上同时打印内部电极以及在与内部电极相同的平面上形成的电极间电介质;堆积并压缩电介质基板;切割堆积的电介质基板,使与电介质基板相同的平面上包括多个内部电极;以及烧结切割的电介质基板。本发明的阵列型多层陶瓷电容,通过同时打印电介质和内部电极,可以解决层间间隙的问题,并且通过将内部电极和外部电极打印成单独整体,可以解决接触的问题。

基本信息
专利标题 :
阵列型多层陶瓷电容及其制造方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1841599A
申请号 :
CN200610003169.8
公开(公告)日 :
2006-10-04
申请日 :
2006-02-22
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
李贵钟
申请人 :
三星电机株式会社
申请人地址 :
韩国京畿道
代理机构 :
北京润平知识产权代理有限公司
代理人 :
周建秋
优先权 :
CN200610003169.8
主分类号 :
H01G4/38
IPC分类号 :
H01G4/38  H01G4/30  H01G13/00  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01G
电容器;电解型的电容器、整流器、检波器、开关器件、光敏器件或热敏器件
H01G4/00
固定电容器;及其制造方法
H01G4/38
多联电容器,即固定电容器的结构组合
法律状态
2017-04-05 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101712358977
IPC(主分类) : H01G 4/38
专利号 : ZL2006100031698
申请日 : 20060222
授权公告日 : 20090909
终止日期 : 20160222
2009-09-09 :
授权
2006-12-06 :
实质审查的生效
2006-10-04 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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