使用宽射束的非均一离子注入设备及方法

专利权的终止

摘要

本发明公开了一种非均一离子注入设备，包括：宽离子束产生器，用于产生宽离子束，该宽离子束包含照射在晶片被分成多个区中的至少二个区上的多个宽离子束；及晶片驱动单元，用于当以该宽离子束产生器所产生的宽离子束被照射在晶片上时垂直地往复移动该晶片。至少该宽离子束之一具有剂量不同于至少另一宽离子束的剂量。

基本信息

专利标题：

使用宽射束的非均一离子注入设备及方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1891854A

申请号：

CN200610004409.6

公开（公告）日：

2007-01-10

申请日：

2006-02-10

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

李民镛

申请人：

海力士半导体有限公司

申请人地址：

韩国京畿道

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波

优先权：

CN200610004409.6

主分类号：

C23C14/48

IPC分类号：

C23C14/48 C23C14/56 H01J25/50 H01J37/317 H01L21/22

IPC结构图谱

C部——化学；冶金

C23

对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制

C23C

对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆

C23C14/00

通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆

C23C14/22

以镀覆工艺为特征的

C23C14/48

离子注入

法律状态

2016-04-06 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101653694771
IPC(主分类) : C23C 14/48
专利号 : ZL2006100044096
申请日 : 20060210
授权公告日 : 20100317
终止日期 : 20150210

2014-03-12 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101698348174
IPC(主分类) : C23C 14/48
专利号 : ZL2006100044096
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : SK海力士公司
变更后权利人 : 英迪股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 韩国京畿道
变更后权利人 : 韩国首尔
登记生效日 : 20140220

2014-03-12 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101696519633
IPC(主分类) : C23C 14/48
专利号 : ZL2006100044096
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 英迪股份有限公司
变更后权利人 : SK海力士公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 韩国首尔
变更后权利人 : 韩国京畿道
登记生效日 : 20140210

2013-07-10 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101625250329
IPC(主分类) : C23C 14/48
专利号 : ZL2006100044096
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 海力士半导体有限公司
变更后权利人 : 英迪股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 韩国京畿道
变更后权利人 : 韩国首尔
登记生效日 : 20130613

2010-03-17 ：

授权

2007-03-07 ：

实质审查的生效

2007-01-10 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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