GaN基光电子器件及其制法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
一种GaN基光电子器件，用MOVPE技术在衬底上生长外延层，外延层包括按序生长的缓冲层，N－型AlaInbGacN层，量子阱组成有源层，P－型AlGaN限制层，P－型GaN层。其缓冲层为复合型缓冲层，包括InxGal－xN层和/或AlyGal－yN层(可Si掺杂)。复合型缓冲层的生长温度为400～800℃；N－型GaN的生长温度为800～1300℃。复合型缓冲层可使N－型GaN层生长较厚，不仅达到降低缺陷密度和防止龟裂，而且优化发光二极管的性能。通过对复合型缓冲层的生长次序、组份和厚度的调整，可分别实现厚的和高质量的N－型GaN，N－型AlGaN，N－型InGaN，和N－型AlInGaN的生长，从而可以极大地提高各种不同波长(如紫外光、兰光和绿光)发光二极管制作的灵活性。
基本信息
专利标题 ：
GaN基光电子器件及其制法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1996625A
申请号 ：
CN200610005280.0
公开（公告）日 ：
2007-07-11
申请日 ：
2006-01-06
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
阎春辉肖志国
申请人 ：
大连路明科技集团有限公司
申请人地址 ：
116025辽宁省大连市高新园区七贤岭高能街1号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN200610005280.0
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00
法律状态
2010-01-27 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2008-10-01 ：
实质审查的生效
2007-07-11 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
