基于硅光转接板技术的硅基光电子器件

专利申请权、专利权的转移

摘要

本实用新型提供一种基于硅光转接板技术的硅基光电子器件及制备方法，器件包括：硅光器件，包括有源器件结构及无源器件结构，有源器件结构具有引出电极，并覆盖有介质层；转接孔及硅穿孔，贯穿至硅衬底，其内壁形成有绝缘层及导电层；接触孔，贯穿至引出电极；正面重新布线层，正面重新布线层以实现有源器件结构的引出电极与导电层的电性连接；第一凸点层，形成于正面重新布线层上；反面重新布线层，与导电层电性连接；第二凸点层，形成于反面重新布线层上。本实用新型硅光转接板的制备与硅光器件具有较高的兼容性，可以大幅降低光电混合集成的成本。本实用新型为硅光芯片及其控制芯片提供超短距离电气互连，能够有效提高器件的集成密度。

基本信息

专利标题：

基于硅光转接板技术的硅基光电子器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202020792537.7

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-05-14

授权号：

CN212083723U

授权日：

2020-12-04

发明人：

蔡艳涂芝娟汪巍余明斌

申请人：

上海新微技术研发中心有限公司;上海功成半导体科技有限公司

申请人地址：

上海市嘉定区城北路235号1号楼

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙)

代理人：

罗泳文

优先权：

CN202020792537.7

主分类号：

G02B6/12

IPC分类号：

G02B6/12 G02B6/42