一种擦除一个或多个非易失存储器单元的方法、电路和系统
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明是一种擦除非易失存储器(“NVM”)阵列或阵列段上的NVM单元的方法、电路或系统。按照本发明的一个例子，一个或多个擦除脉冲参数可与NVM阵列内的每个阵列段相关联。无论何处，个别的擦除脉冲参数可与NVM阵列内一个以至所有阵列段相关联。按本发明的某些例子，施加到阵列段内一个或多个NVM单元上的擦除脉冲的特性(如脉冲振幅、脉冲持续时间等)可至少部分基于一个或多个与给定阵列段相关联的擦除脉冲参数。
基本信息
专利标题 ：
一种擦除一个或多个非易失存储器单元的方法、电路和系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1822233A
申请号 ：
CN200610005416.8
公开（公告）日 ：
2006-08-23
申请日 ：
2006-01-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
阿萨夫·沙比尔夏伊·艾森
申请人 ：
赛芬半导体有限公司
申请人地址 ：
以色列内坦亚市
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
丁纪铁
优先权 ：
CN200610005416.8
主分类号 ：
G11C16/14
IPC分类号 ：
G11C16/14
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C16/00
可擦除可编程序只读存储器
G11C16/02
电可编程序的
G11C16/04
使用可变阀值晶体管的，例如，FAMOS
G11C16/10
编程或数据输入电路
G11C16/14
用于电擦除的电路，例如擦除电压开关电路
法律状态
2009-07-01 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-11-08 ：
实质审查的生效
2006-08-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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